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ATLANT 3D DALP 這款技術(shù)突破傳統(tǒng)微納米加工行業(yè)限制, 解決現(xiàn)有ALD技術(shù)無(wú)法區(qū)域選擇和無(wú)法圖形化的痛點(diǎn), 輕松創(chuàng)造新材料和新工藝且達(dá)到埃米原子級(jí)極高精度;

ATLANT 3D領(lǐng)先的無(wú)掩膜ALD直寫(xiě)沉積技術(shù)DALP , 實(shí)現(xiàn)可控圖形化及亞埃原子級(jí)超高加工精度, 在整個(gè)全球微電子研發(fā)及生產(chǎn)體系中脫穎而出, 滿足從先進(jìn)材料研發(fā)、微納器件原型設(shè)計(jì)、可擴(kuò)展制造到微納光電子學(xué)、光子學(xué)、微流體、 MEMS/傳感器、印刷電子等領(lǐng)域的先進(jìn)應(yīng)用; 且這種獨(dú)特技術(shù)具有超高靈活性以及材料零浪費(fèi), 并與半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)相兼容;